采用LDPC算法,ECC智能糾錯機(jī)制,S.M.A.R.T,全盤均衡磨損算法技術(shù),顯著提高固態(tài)硬盤使用壽命,效率更高,500MB/S和450MB/S的讀寫速度,。內(nèi)置3 D NAND顆粒,多個芯片層垂直堆疊,有效加快處理速度,減少了單元間的重疊,穩(wěn)定性更好,從來料選擇到生產(chǎn)測試,都嚴(yán)格要求確保產(chǎn)品的使用壽命和工作穩(wěn)定。
采用LDPC算法,ECC智能糾錯機(jī)制,S.M.A.R.T,全盤均衡磨損算法技術(shù),顯著提高固態(tài)硬盤使用壽命,效率更高,500MB/S和450MB/S的讀寫速度,。內(nèi)置3 D NAND顆粒,多個芯片層垂直堆疊,有效加快處理速度,減少了單元間的重疊,穩(wěn)定性更好,從來料選擇到生產(chǎn)測試,都嚴(yán)格要求確保產(chǎn)品的使用壽命和工作穩(wěn)定。